反应腔、上电极（ICP源）、下电极、射频功率源、真空系统、气路系统、预真空室、控制机柜、控制硬件、软件等.

主要用于介质材料和聚合物刻蚀，通过感应耦合等离子体（ICP）干法刻蚀的方式、按掩膜图形、实现对介质或聚合物材料的选择性刻蚀，从而在器件上刻蚀出所需的高精度结构图形。
配置感应耦合等离子体（ICP）源，适用于6英寸以下的晶圆片和不规则碎片，可实现高速率、高深宽比、高选择比的干法刻蚀。

1）样品尺寸：最大6英寸，小于6英寸样品可使用载片器。无需打开反应腔更换部件、即可切换不同尺寸的样品进行刻蚀。
2）反应腔由整块铝锭加工制成、无焊缝、低漏率、具有自动加热功能。本底真空≤ 1E-6 mbar,真空漏率≤ 2E-4 mbar.l/s。