1.截面抛光仪用变压器 2.大样品旋转样品夹 3.CP备件包 4.喷碳单元 5.喷碳用样品夹
5可采用触摸屏设定蚀刻条件
5.1 用户可自行预设,编辑,调用蚀刻条件,而无需每次蚀刻重新设定。预设4 组加工条件(加速电压、氩气流量、加工时间、间歇加工)
5.2 具有平面抛光研磨功能,并配置大型旋转样品台40 mm (D) × 15 mm (T)
5.3 具有Z方向高度调节功能,避免因Z方向不可调整所形成的深坑
5.4具有间歇式研磨抛光功能,适合在不同研磨抛光阶段中的速度和质量要求。并可自动切换加工条件。
6. 研磨定位可利用抛光仪内置CCD相机定位检查
7. 最大样品尺寸不小于11 mm (W) X 10 mm (L)X2 mm (T)
8. 样品移动范围X-axis 12 mm Y-axis 5 mm
8.1 进行离子束研磨时样品台摆动角度 ±30°
1. 采用低能量氩离子束设计。
2. 离子加速电压可达2-8 KV
3. 离子束直径500 um 以上(FWHM方法测定)
4 研磨速度500 um/hr (以单晶硅片蚀刻1小时计, ≥8KV),蚀刻宽度不小于2mm