无
1、刻蚀钝化材料如氮化硅、二氧化硅和氧氮化硅。
2、金属间介电层的刻蚀及剖面调整。
3、失效分析用集成电路板上残留封装材料的刻蚀。
4、光刻胶和聚酰亚胺的刻蚀。
5、硅、多晶硅、难熔金属、硅化金属、旋涂玻璃等的刻蚀。
反应室:石英,212mm
下电极:铝,120mm,水冷
射频功率:13.56MHZ,200W晶振频率,手动匹配
进气管:两条
压力测量:隔膜表(0-2.66*102pa)
真空系统:干泵(500L/min)
尺寸:主机(宽400mm*深440mm*高325mm)
支架(宽400mm*深620mm*高798mm)